规格书 |
SPS02N60C3 |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 650V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.9V @ 80µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 12.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 25W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
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